IPD16CN10N G 全國供應商、價格、PDF資料

IPD16CN10N G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：53A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 53A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 61µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3220pF @ 50V

功率_最大：100W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：PG-TO252-3

包裝：帶卷 (TR)

• GRM1885C1H222JA01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 2200PF 50V 5% NP0 0603

• FSICEKITGRGZ

  過時/停產零件編號    Freescale Semiconductor        KIT EMULATOR FSICE FOR 9

• IPD144N06N G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

• CX0805MRX7R6BB184

  陶瓷    Yageo    0805（2012 公制）    CAP CER 0.18UF 10V 20% X7R 0805

• HIP2123FRTBZ-T

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Intersil        IC INTERFACE

• IRF9383MTRPBF

  其它    International Rectifier        MOSFET P-CH 30V 160A DIRECTFET

• ISL9012IRBJZ

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 1.5V/2.8V 10-DFN

• FSICEKITQC16E

  內電路編程器、仿真器以及調試器    Freescale Semiconductor        KIT FSICE EMULATOR FOR 908QC

• GRM1885C1H240JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 24PF 50V 5% NP0 0603

• HIP4080AIBT

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Intersil    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DRIVER FULL BRIDGE FET 20SOIC

• IRF9388TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC

• ISL9012IRJBZ-T

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 2.8V/1.5V 10-DFN

• FSK-S30-15U

  AC DC 轉換器    CUI Inc        CONV AC-DC 15V 2A 30W PCB

• GRM1885C1H241JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 240PF 50V 5% NP0 0603

• CX0805MRX7R7BB104

  陶瓷    Yageo    0805（2012 公制）    CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 0805